兆易创新(603986)：DRAM产业持续创新 兆易创新有望充分受益

　　DRAM 即动态随机存取存储器，是当前市场中最为重要的系统内存，在计算系统中占据核心位置，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。多层DRAM主要是指在存储单元的构建上采用了多层结构。在传统的平面DRAM 结构基础上，通过技术手段将多个存储单元层垂直堆叠起来。

    　　多层DRAM 有望成为重要产业趋势。为满足运行AI 应用的系统需求，内存芯片和模组需要满足多方面的性能需求，而不仅仅是高带宽，包括低能耗、合理的尺寸，以及散热管理，这些在边缘场景中都至关重要。现有内存解决方案在带宽方面存在限制，直接影响了系统的性能。IC 引脚数量、数据传输速率和内存总线宽度等物理特性，在决定接口带宽方面也起着重要作用。内存芯片和模块设计师还须应对设计和制造工艺的限制，这些限制会影响所提供的带宽。此外，随着速度提升，信号完整性也是一个关键问题，因为衰减、干扰和反射等因素也会限制可实现的带宽。另一方面，增加带宽可能会造成功耗上升或效率降低，这就会给散热管理带来很大挑战，并影响依靠电池供电的边缘设备运行。此外，一些解决方案会导致内存模块体积增大，限制其在紧凑型设备中的应用。

    　　CUBE 通过增加I/O 数量、提高数据速度、支持TSV（可选）、提供散热优秀的3D架构，解决了传统内存IC 和模组解决方案的痛点。作为一种已获专利的创新性高带宽内存接口技术，CUBE 能够优化内存模组，并提供可以轻松运行大模型AI 的性能，传统内存的带宽无法满足这些AI 的性能需求。在增强带宽的同时，CUBE 还降低了功耗。CUBE 提高了前端3D 结构（如CoW 和WoW），以及后端2.5D/3D 硅中介层上芯片和Fan-Out 解决方案的性能。另一方面，CUBE 还可以轻松应用于新产品的设计中。CUBE 适用于功耗敏感的高带宽端侧AI 设备，这类设备通常结合了云和边缘算力的优势。预计CUBE 的部署将会开启一个全新时代——能够让高级AI 应用更加易用，并且能够克服安全问题与成本问题。CUBE 适用于注重功耗的设计，可以在不同平台和应用（包括边缘设备和监控设备）中无缝高效地部署AI 模型。

    　　CUBE 通过提供高带宽内存解决方案来提高整体系统性能，解决现有方案的局限性。此外，CUBE 具有出色的能效，功耗低于1pJ/bit。低功耗特性能够使其适用于功耗敏感的应用，非常适合替代低能效的内存方案。不仅如此，基于3D 堆叠以及小尺寸实现的紧凑外形，使CUBE 成为便携式设备和空间受限设备的理想之选。CUBE 的创新3D 架构巧妙地将SoC 置上，更加靠近散热器，从而有效缓解边缘AI 计算的散热问题。另一个关键功能是灵活性。CUBE 允许定制来满足各种应用的特定要求，从而为客户提供量身打造的解决方案。通过引入TSV，CUBE 能够进一步提高信号完整性、电源完整性以及整体系统效率。CUBE 的灵活设计允许根据特定客户的SoC 规格来定制芯片面积。

    　　基于D20 工艺的CUBE 可以设计为1-8Gb/die 容量，基于D16 工艺的为16Gb/die 容量。非TSV 和TSV 堆叠均可用，这为各种应用提供了优化内存带宽的灵活性。CUBE 具有出色的能效，在D20 工艺中功耗低于1pJ/bit，能够延长设备运行时间、优化电源消耗。CUBE 的IO 速度于1K I/O 可高达2Gbps，提供从16GB/s 至256GB/s 的总带宽。通过这种方式，CUBE 能够确保带来高于行业标准的性能提升，并通过uBump 或混合键合增强电源和信号完整性。基于D20 标准的1-8Gb/die 产品，以及灵活的设计和3D 堆叠选择，使得CUBE 能够适应更小的外形尺寸。TSV 的引入也进一步提高了性能，改善了信号完整性、电源完整性和散热性能。最后，TSV 技术以及uBump/ 混合键合可降低功耗并节省SoC 设计面积，从而实现高效且极具成本效益的解决方案。利用TSV 实现高效的3D 堆叠，简化了与先进封装技术的集成难度。通过减小芯片尺寸，CUBE能以更短的电源路径以及更紧凑、更轻巧的设计来降低器件成本、提高能效。

    　　CUBE 的高带宽、低功耗和先进的技术促进了高效的数据传输，这将助力边缘AI 的集成和进一步发展。CUBE 以更高的带宽和更高的能效、更快的响应时间、可定制化特性以及紧凑外形，在释放AI 应用潜力方面发挥重要作用，能够让强大的AI 从云落地至边缘设备和混合云应用中。CUBE 的应用范围还包括边缘计算和消费电子产品。CUBE 代表了边缘AI 计算的范式转变，为AI 应用不断变化的需求提供了全面的解决方案。CUBE 的高能效、高性能和高灵活性将会塑造AI 驱动技术的新未来。多层DRAM 有望成为CUBE 技术的重点应用领域。

    　　兆易创新是国内利基型存储与MCU 领先企业。公司多赛道多产品线组合布局业务，目前主要是存储器、微控制器和传感器三大类，产品包括Nor Flash、SLCNAND Flash、DRAM、MCU 等系列产品。其中，DRAM 为兆易创新重点产品，公司注重研发，紧跟产业趋势。

    　　根据兆易创新公告，兆易创新科技集团股份有限公司及子公司从长鑫存储技术有限公司及其子公司（以下合并简称“长鑫存储”）采购代工生产的DRAM 产品，2025 年上半年度预计交易额度为0.82 亿美元（不含税），折合人民币约5.89亿元。2024 年（实际发生金额为截至2024 年12 月16 日金额）兆易创新科技集团股份有限公司及子公司从长鑫存储采购代工生产的DRAM 产品关联交易预计额度为9.95 亿元（不含税），其中实际发生（未经审计）额度为9.22 亿元（不　　含税）。长鑫存储是国内稀缺的DRAM 存储产品IDM 企业，其基于与兆易创新的战略合作关系，开放部分产能为兆易创新利基型DRAM 业务提供代工服务，是兆易创新在利基型DRAM 业务领域重要的合作伙伴。随着DRAM 产业持续创新，兆易创新有望充分受益。

    　　盈利预测、估值与评级：兆易创新是国内利基型存储与MCU 领先企业。DRAM产业持续创新，兆易创新有望充分受益。我们维持公司2024-2026 年归母净利润预测为10.91、16.16、20.99 亿元，当前市值对应PE 为73、50、38 倍。我们维持公司“买入”评级。

    　　风险提示：行业需求不及预期；自研DRAM 产品市场推广不及预期；MCU 景气度不及预期。